结果被第一性原理分子动力学模拟所证实,云计并与最近的实验观察相一致。 结果被第一性原理分子动力学模拟所证实,改写并与最近的实验观察相一致。企业(b)3R堆垛的si-TaS2的ic-Ta原子形成能Ef随插层浓度变化的包络曲线。 云计(b)基于si-TaS2的逻辑器件与门。(a)c=33%时的2H和3R堆垛si-TaS2中单体、改写二聚体、三聚体和四聚体的ICOHP。利用外来原子或分子,企业包括碱金属、企业贵金属等金属原子和一系列有机分子,插入该间隙可以改变材料的晶格结构和成分,进而有效的调控材料的电学、磁学等性质,因此插层技术在热电、催化、能源等领域具有有益的潜在应用前景。 云计该研究成果以MechanismRegulatingSelf-IntercalationinLayeredMaterials为题发表在NanoLetters上。改写最近的实验报道了一类自插层(插入TMDs本身的金属原子)的TMDs,其化学计量可以通过改变插层原子浓度在宽范围内进行调节。 然而,企业层间插层原子(ic-M)的组装机制尚不清晰,阻碍了对性质的精确调控和器件的合理设计。 云计(c)2H堆垛的si-TaS2的ic-Ta原子形成能Ef随插层浓度变化的包络曲线。改写(e)水解离过程的能量比较。 企业(f)析氢反应过程的自由能图。云计(f)层间限域NiFe@MoS2形成过程的示意图。 江西师范大学为第一完成单位并且是唯一通讯单位,改写袁彩雷教授为本文唯一通讯作者。企业(f)在j=150mA/cm2高电流密度下进行100小时j-t测试后阴极层间限域NiFe@MoS2的ESR谱图文章链接:https://doi.org/10.1002/adma.202300505本文由作者供稿 |
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